温度变化对LVDT位移传感器读数的影响

机械制造中，经常会用到LVDT位移传感器。不过设计LVDT位移传感器要考虑的因素很多，设计师却很少考虑如何在温度变化可能会影响线性可变差动变压器(LVDT的)。然而，温度变化足够大的可以扭曲LVDT位移传感器读数。那么温度变化对LVDT位移传感器读数有什么影响呢？接下来申思测控小编就来为大家详细介绍下。

这种影响可以采取在LVDT位移传感器输出电平的移位的形式相对于它的核心位移。这就产生了一个缩放误差。这是相同的缩放系数稍大或小于1的校正输出信号相乘。

或者，它可以在空 - 参考输出位置，用于校准LVDT位移传感器输出开始或参考点的改变的形式。这种类型的错误被称为零移位或刻度偏移误差。的效果是一样的加上或减去一个小的恒定值来校准输出电压。

上升的环境温度产生在用于LVDT位移传感器的初级和次级线圈的铜线的电阻高。高初级线圈的电阻缠绕增强阻抗和军队初级电流下降。这会影响输出和感光度水平产生缩放误差。

如果具有高阻抗负载被用在次级的绕组电阻的变化没有同样多的影响。但抵抗变化在二级将会考虑到权力转移到低阻抗负载。例如，如果负载阻抗是比二次绕组电阻50×更大，50%上升次级电阻就只能通过降低大约1%的输出电压。

当然，温度的变化使材料膨胀或收缩按照膨胀它们的热系数。

当安装一个LVDT，材料的使用，在膨胀系数的巨大差异可能会导致零偏移误差。

这种方法的优点是，它招致任何额外电路或空间。因此，设计人员必须量化温度变化和订购特殊LVDT位移传感器。锰铜线绕组也具有比铜绕组较高电阻，因此它们是较不敏感的，然后铜缠绕的LVDT位移传感器。

恒流电源保持初级电流恒定，而电阻的变化。稳定的初级电流有助于保持输出电压恒定的灵敏度。如果恒流源不可用，串联在初级绕组的外部电阻有助于稳定的电流。这个串联电阻也应该有一个负温度系数来抵消绕组的正温度系数。

串联插入与初级或次级电路的热敏电阻能够补偿随温度灵敏度的变化。因为这需要增加与温度的上升下降的电阻，热敏电阻必须有正确的负温度系数，以抵消将LVDT位移传感器线圈的上升阻力。

总而言之，设计者可以通过仔细排列的机械布局，并通过用于安装将LVDT位移传感器材料的选择减少刻度移误差。

以上关于温度变化对LVDT位移传感器读数的影响就为大家分享到这里，除此之外，为了提高LVDT位移传感器的灵敏度，改善LVDT位移传感器的线性度、增大传感器的线性范围，设计时将两个线圈反串相接、两个次级线圈的电压极性相反，LVDT输出的电压是两个次级线圈的电压之差，这个输出的电压值与铁心的位移量成线性关系。