零残电压对LVDT位移传感器有什么影响？

随着我国国民经济的高速发展，自动化程度的不断提高，传感器的用量越来越大，开发高新技术位移传感器产品具有广阔的前景。该产品具有精度高，动态特性好，工作可靠，使用方便等特点。但是在目前加工工艺条件下，无法保证变压器结构完全对称。因此，LVDT位移传感器必然存在零残电压的缺陷。那么零残电压对LVDT位移传感器有什么影响呢？下面申思测控小编就来为大家介绍下。

零残电压对LVDT位移传感器的影响主要有：

传感器输出特性在零点位置附近不灵敏，限制了位移传感器分辨率的提高;

如果传感器零残电压太大，会大幅影响位移传感器的线性精度，也会使传感器的灵敏度大幅下降。

为了减小LVDT位移传感器的零残电压，线圈绕制过程中药尽量保证初级线圈与次级线圈结构的均匀与对称;次级线圈磁路的对称;铁芯选材应确保材质均匀，经热处理改善型材的机械性能和磁性;设计有效的电路补偿。补偿电路形式很多，常见的有：电阻串联，电阻并联，电容并联，外加反馈绕组或反馈电容等，是一种简单有效的方法。

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